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碳化硅（SiC）器件動態參數測試系統本測試系統具有高測試精度、高靈敏度、高可靠性、高安全性的特點，實現碳化硅二極管、MOSFET器件開通時間、關斷時間、快恢復二極管反向恢復時間、反向電流及反向恢復電荷

陜西碳化硅器件測試儀1、設備功能 適用于傳統硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九類半導體分立器件全靜態參數測試

西安靜態參數測試系統供應商技術特征 采用32位嵌入式計算機，運行速度快，擴展能力強，實現脫機運行 采用高速16位并行D/A、A/D和專用并行內部總線技術設計，速度快、穩定性高 采用脈沖法測試參數

陜西半導體分立器件測試系統生產廠家1、設備功能 適用于二極管、三極管、MOS場效應管、結型場效應管、IGBT、整流橋、可控硅、光耦等十三大類半導體分立器件全靜態參數測試 2、運行條件 溫度：25

晶體管測試儀|晶體管測試儀主要技術參數 系統主要技術參數列表如下： 主極電壓 2000V(加選件可擴展至3300V) 主極電流 50A(加選件可擴展到100

雪崩測試儀供應商一、概述 用于二極管、三極管、MOS管及IGBT等器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流可達到200A，雪崩電壓測試可達到5000V。設備滿足電壓在5000V及以下范圍內二極管、

三極管測試儀服務1、設備功能 適用于傳統硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九 大類半導體分立器件全靜態參數測試。

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功率器件動態參數測試<p>&nbsp;適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數測試。<br/>主要技術參數：IGBT開關特性測試 <br/>

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碳化硅器件測試銷售<p>主要技術參數：IGBT開關特性測試 <br/>開關時間測試條件<br/>Ic：50A～1000A&nbsp;&nbsp;&a