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碳化硅（SiC）器件動態參數測試系統本測試系統具有高測試精度、高靈敏度、高可靠性、高安全性的特點，實現碳化硅二極管、MOSFET器件開通時間、關斷時間、快恢復二極管反向恢復時間、反向電流及反向恢復電荷等測試，通過計算機控制，示波器采集波形，由計算機處理數據并顯示測試結果。 主要技術參數： 測試產品：SiC FRD,MOSFET（兼容Si基產品） 測試能力： a、開關時間測試 測試條件：ID：1A~1000A，VDS:5V~3500V，VGS:-10V~20V，Rg：手動可調，阻性，感性負載 可切換 測試參數：td（on）\tr\td（off）\tf：.01nS-200nS，Eon\Eoff：10uJ~100mJ B、反向恢復特性測試 測試條件：IF:1A~1000A,VR:5V~3500V, di/dt:50A/us~10000A/us 測試參數：trr：0.1nS-200nS，QC：1nC~1uC，lrm：1A~200A，Erec：0.1uJ~1mJ C、短路電流測試 測試條件：Pulse width：1us~100us，VDS：5V~3500V 測試參數：Peak ID:10A~1000A,Delta Vds：10V~200V碳化硅（SiC）器件動態參數測試系統